国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“利用混合键合的三维存储器架构”的专利，公开号CN121605766A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，利用混合键合的三维（3D）存储器架构及其制造方法。方法和装置采用超高密度（本文中定义为亚1微米间距）混合键合界面（HBI）在存储体级堆叠管芯/小芯片。描述了用于在底部管芯和顶部管芯之间分布存储体和外围逻辑的各种配置，其应用于进一步的管芯堆叠。所提供的装置还可以实现用于从主要底部管芯到顶部管芯的电力输送的专用通孔。

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作者：情报员