国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN121604505A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本公开涉及具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法。描述了一种具有晶体管结构的半导体器件。晶体管结构包括：从衬底垂直突出并沿第一水平方向延伸的鳍式有源区；以及与鳍式有源区交叉并沿第二水平方向延伸的栅极结构。栅极结构包括：设置于鳍式有源区之上的上栅极结构，上栅极结构具有沿第二水平方向延伸的线状；以及设置于鳍式有源区的两侧的下栅极结构。下栅极结构在第一水平方向上具有第一水平宽度。上栅极结构在第一水平方向上具有第二水平宽度。第一水平宽度小于第二水平宽度。

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作者：情报员