国家知识产权局信息显示，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121604452A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件制备方法，方法包括：在基底上镀覆形成掩膜层，掩膜层的厚度为1000埃~10000埃；在掩膜层中形成第一开口，通过第一开口对基底进行刻蚀，以在基底中形成初级沟槽；在初级沟槽的沟槽底部进行离子注入，以形成包裹初级沟槽底部至少部分区域的P型埋层；掩膜层在离子注入的过程中，保持附着在基底上的状态。本申请的方法可以精准在初级沟槽底部注入离子，避免离子被注入到基底表面。

天眼查资料显示，珠海格力电器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本601573.0878万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了98家企业，参与招投标项目33693次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可923个。

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作者：情报员