国家知识产权局信息显示，合肥安赛思半导体有限公司申请一项名为“一种SiCMOSFET基于功率循环的寿命预测方法”的专利，公开号CN121615468A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种SiCMOSFET基于功率循环的寿命预测方法，涉及电力电子器件技术领域，本发明根据在不同温度下的实验获取SiCMOSFET功率循环的使用数据并形成特征集，在随机森林回归模型中训练获取寿命预测模型，以尽量少的特征训练模型，减小黑盒效应的影响并减少工作量，根据实际环境温度选择两个模拟环境温度，并结合实际循环次数和导通压降输入寿命预测模型获取主剩余寿命和辅剩余寿命，将实际产生的数据转换为实验条件下的数据并获取预测结果，以训练时的标准数据形式进行预测以增大寿命预测模型预测精度，根据实际环境温度与模拟环境温度的偏移量获取最终寿命，实现了考虑温度情况下对剩余寿命的精准预测。

天眼查资料显示，合肥安赛思半导体有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1999.05万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥安赛思半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可4个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员