国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件”的专利，公开号CN121620218A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件，其中方法包括：沉积介电保护层；在介电保护层上形成光刻胶层，保留多晶硅熔丝结构熔丝区的光刻胶层，以暴露其他非多晶硅熔丝结构熔丝区的介电保护层；刻蚀去除其他非多晶硅熔丝结构熔丝区的介电保护层，去除多晶硅熔丝结构熔丝区的光刻胶层，得到预处理多晶硅熔丝结构；沉积应力覆盖层，以得到具有差异化膜层的多晶硅熔丝结构，其中，具有差异化膜层的多晶硅熔丝结构熔丝区覆盖有介电保护层和应力覆盖层，其他非多晶硅熔丝结构熔丝区覆盖有应力覆盖层。本申请提供的技术方案，能够在保证多晶硅熔丝结构良好的电学和热学特性条件下，提高多晶硅熔丝结构的烧调良率。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本214766.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目275次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息577条，此外企业还拥有行政许可7个。

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作者：情报员