国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“氧化铝膜层的制备方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121610770A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供了氧化铝膜层的制备方法及半导体工艺设备；其中，在氧化铝膜层的制备方法中，获取基底和工艺配方；其中，工艺配方包括至少一个工艺循环，在工艺循环中，首先通入三甲基铝，然后进行第一吹扫，接着通入水蒸气，最后进行第二吹扫；三甲基铝的脉冲时间为0.3s，水蒸气的脉冲时间为0.3s；按照工艺配方在基底上生成氧化铝膜层。上述制备方式，在氧化铝膜层生成过程中，通过设置三甲基铝的脉冲时间和水蒸气的脉冲时间均为0.3s，不仅有效降低了工艺时间，还优化了氧化铝膜层的均匀性，从而提高了半导体工艺设备的产能和产品良率。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息127条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员