国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“使用多层光敏性电介质来制造双镶嵌结构”的专利，公开号CN121621053A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，一种方法包括获得基底结构，该基底结构包括安置在基板上的介电层堆叠。该介电层堆叠包括：第一光敏性介电层，该第一光敏性介电层包括对第一辐射剂量敏感的第一光敏性介电材料；第二光敏性介电层，该第二光敏性介电层包括对不同于该第一辐射剂量的第二辐射剂量敏感的第二光敏性介电材料；以及阻挡层，该阻挡层安置在该第一光敏性介电层与该第二光敏性介电层之间。该方法进一步包括使用双镶嵌工艺从该基底结构形成双镶嵌结构。

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作者：情报员