国家知识产权局信息显示，武汉楚兴技术有限公司申请一项名为“一种金属导线的形成方法及半导体结构”的专利，公开号CN121620193A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种金属导线的形成方法及半导体结构，半导体结构包括层叠的第二介电层和第一介电层，第一介电层包括多孔材料，第二介电层中具有金属层，第一介电层中具有多个通孔，金属层的表面暴露在通孔的底部；至少在通孔的侧壁上形成保护层；保护层的材料包括非金属材料或金属氧化物；在通孔内填充金属材料，形成与金属层连接的金属导线。通过在通孔侧壁上沉积保护层，保护层基本不会与第一介电层中残留的挥发性小分子发生反应，不会对保护层造成损伤，避免被保护层所包围的金属导线被腐蚀，既保障金属导线与金属层良好接触，还避免金属导线侧壁被损伤形成孔洞缺陷，提高了金属导线质量，进而保障金属导线电流传输能力，提高了半导体结构性能。

天眼查资料显示，武汉楚兴技术有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2074316.847826万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉楚兴技术有限公司参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可321个。

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作者：情报员