国家知识产权局信息显示，华通芯电（南昌）电子科技有限公司申请一项名为“一种砷化镓晶圆侧蚀改善方法及晶圆结构”的专利，公开号CN121620109A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种砷化镓晶圆侧蚀改善方法及晶圆结构，所述方法包括提供一砷化镓晶圆；在所述砷化镓晶圆的正面形成保护层；将所述砷化镓晶圆的背面贴附于承载膜上；采用激光从所述砷化镓晶圆的正面进行切割，将其分割成多个晶粒，并在所述晶粒的切割道侧面形成重铸层；去除所述晶粒上的保护层，以使所述保护层带走切割时在其表面形成的切割残留物；对贴附有所述承载膜的所述晶粒进行热处理，使所述承载膜的胶粘层发生流变并部分包裹所述晶粒的背面及边缘；采用蚀刻液对所述晶粒的侧面进行蚀刻，以去除所述重铸层，其中，被所述胶粘层覆盖的背面金属层在蚀刻过程中受到保护，从而从根本上避免了侧蚀现象的发生。

天眼查资料显示，华通芯电（南昌）电子科技有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10111.1111万人民币。通过天眼查大数据分析，华通芯电（南昌）电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息32条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员