【中国】呼吁打造“中国版ASML”的呼声日益高涨|euv|中国

荷兰媒体报道，据几位中国芯片公司高管透露，光刻技术应成为中国政府下一个五年计划的核心重点。此举旨在打造一家能够替代荷兰ASML（阿斯麦）的厂商。五年内取得重大进展是可以预期的，但要打造出与ASML匹敌的产品则需要更长时间。

路透社的报道援引这些高管的话称，ASML主要是一家系统集成商，拥有约5000家供应商，单个设备就需要10万个组件。该领域最知名的公司是德国镜头制造商卡尔·蔡司（Carl Zeiss）和通快集团（Trumpf），后者专注于制造用于在硅片上蚀刻芯片图案的强大激光器。这些只是ASML的同类设备需要掌握的众多细分领域中的几个。

中国北方华创科技公司（Naura Technology Group）的赵晋荣、长江存储科技公司（Yangtze Memory Technologies Corp）的陈南翔和华大九天科技（Empyrean Technology ）的刘伟平认为，中国必须迎接挑战。他们在《科学与技术评论》杂志上概述了中国版ASML的蓝图：一个集中管理各机构预算和人员的国家级集成商。

中国政府目前已取得一些成功。光学系统、芯片制造所需的晶圆精准定位以及至关重要的EUV光源都处于不同的研发阶段。然而，这些技术加起来距离取代或媲美ASML最新的EUV光刻机还有很长的路要走。从EDA软件到硅晶圆以及必要的气体，所有环节都尚未完成。

这家位于荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）的芯片设备制造商被禁止向中国销售其EUV设备，这种情况已经持续了十年。然而，中国芯片公司已经委托ASML使用其较旧的DUV设备来制造比以往认为的更先进的处理器。 7纳米极限通常是芯片上最小特征的测量单位，而这一极限只能通过极紫外光刻（EUV）技术实现。目前，这一极限已被逼近。

然而，物理定律限制了芯片设计的精度。芯片设计中更小的细节可以在光谱范围内进一步实现。当然，能量需求也会随之增加。ASML目前最先进的设备所依赖的高数值孔径（High-NA EUV）光源，实际上是EUV技术的进一步发展，而超高数值孔径（Hyper-NA EUV）技术也即将问世。

目前，中国的目标仅仅是实现制造实际的EUV设备，其发展路线图中甚至没有明确提及光刻机。此外，即使中国工程师有机会用上EUV设备，ASML的领先优势仍在不断扩大。

本月初，有报道了称ASML正在将EUV设备的功率输出提升至1000瓦，这有望在2030年之前将芯片产量提高50%。与此同时，ASML也在探索向先进封装和更大尺寸人工智能芯片领域拓展。

中国采用较老的28纳米及以上制程的芯片产能占全球总产能的33%，且不受任何限制。这固然是一个坚实的基础，但对于北京的人工智能雄心而言还远远不够。早在2010年，西方就出现了首批商用28纳米芯片，甚至早于极紫外光刻（EUV）技术的出现。