国家知识产权局信息显示，恩特格里斯公司申请一项名为“蚀刻钼的方法及组合物”的专利，公开号CN121629398A，申请日期为2021年4月。

专利摘要显示，本申请涉及蚀刻钼的方法及组合物。本发明描述一种用于以一定蚀刻速率，从微电子装置蚀刻钼的蚀刻剂组合物及方法。使微电子装置与蚀刻剂组合物接触足以至少部分去除所述钼的时间。所述蚀刻剂组合物包含至少一种氧化剂、至少一种氧化剂稳定剂及至少一种碱且具有7.5到13的pH。所述蚀刻剂组合物以5到200 Å/min的蚀刻速率选择性去除钼。

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作者：情报员