国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“磁存储装置”的专利，公开号CN121665903A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及能够抑制磁阻效应元件的性能劣化的磁存储装置。磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1强磁性层、第2强磁性层、第3强磁性层、设置于第1强磁性层与第2强磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2强磁性层与第3强磁性层之间的第2非磁性层、包含选自铱、铂、金、铑、钯、银、镍、以及铜中至少一个元素的第3非磁性层、包含选自钽、钨、铌、钼、钒、以及铬中至少一个元素的第4非磁性层、以及包含硅以及锗中至少一个元素的第5非磁性层。第2强磁性层位于第1强磁性层与第3强磁性层之间。第3强磁性层位于第2非磁性层与第3非磁性层之间。第4非磁性层位于第3非磁性层与第5非磁性层之间。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员