国家知识产权局信息显示，云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司申请一项名为“降低磷化铟晶片划伤的研磨方法”的专利，公开号CN121665927A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，降低磷化铟晶片划伤的研磨方法，属于半导体加工制备技术领域，具体涉及磷化铟晶片研磨方法。本发明的方法括晶片预处理、配置复合化学机械研磨液、分步研磨及后处理工序。本发明磷化铟复合型研磨方法，通过优化组合多步机械研磨与化学机械抛光，可以使得化学作用与机械作用平衡，实现高效、低损伤的磷化铟晶片加工。通过这种复合型研磨方法，有望克服现有技术的局限性，为磷化铟晶片加工提供一种更加高效、经济且环保的解决方案。

天眼查资料显示，云南鑫耀半导体材料有限公司，成立于2013年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本48601.064401万人民币。通过天眼查大数据分析，云南鑫耀半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可11个。

云南中科鑫圆晶体材料有限公司，成立于2008年，位于昆明市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本32645.804万人民币。通过天眼查大数据分析，云南中科鑫圆晶体材料有限公司参与招投标项目26次，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员