国家知识产权局信息显示，武汉高芯科技有限公司申请一项名为“一种碲镉汞材料及其表面钝化热处理方法和红外探测器”的专利，公开号CN121653571A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种碲镉汞材料及其表面钝化热处理方法和红外探测器，该碲镉汞材料表面钝化热处理方法，包括如下步骤：S1、对碲镉汞基材表面进行预处理；S2、碲镉汞基材表面沉积生长一层高组分HgCdTe膜层；S3、在高组分HgCdTe膜层表面沉积生长一层CdTe钝化膜层；S4、在CdTe钝化膜层表面沉积生长一层ZnS钝化膜层；S5、将S4处理后的碲镉汞基材在惰性气氛保护下进行无源热处理。该发明采用三层复合钝化膜层，利用高组分HgCdTe膜层与HgCdTe基材材料组分、晶体结构、晶格常数基本一致，解决传统采用CdTe钝化膜层作为首层钝化材料时CdTe膜层制备工艺要求高、CdTe/HgCdTe产生应力、位错等问题，降低了CdTe钝化膜层制备的工艺要求、降低了热处理工艺的复杂性，扩宽了HgCdTe器件加工的工艺窗口。

天眼查资料显示，武汉高芯科技有限公司，成立于2013年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本33800万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉高芯科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目111次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息436条，此外企业还拥有行政许可20个。

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作者：情报员