国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121693115A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。通过光刻制作工艺在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括第一开口与第二开口。第一开口包括第一倾斜侧壁。使用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行蚀刻制作工艺，而在基底中形成对应于第一开口的第三开口与对应于第二开口的第四开口。第三开口包括第二倾斜侧壁。在基底上形成导电层。导电层填入第三开口与第四开口。利用位于第三开口中的导电层作为终止层，移除部分导电层，而在第三开口中形成标记且在第四开口中形成基底穿孔。

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作者：情报员