国家知识产权局信息显示，北京智慧能源研究院和国网浙江省电力有限公司电力科学研究院申请一项名为“一种碳化硅外延材料及其制备方法”的专利，公开号CN121693009A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种碳化硅外延材料及其制备方法，属于碳化硅外延技术领域。所述碳化硅外延材料的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底上制备n层缓冲层，其中，n≥2；在第n缓冲层上制备外延层；各层缓冲层的制备方法包括：表面进行原位刻蚀处理后，采用硅源、碳源和掺杂源生长单层缓冲层；所述碳源中碳元素与所述硅源中硅元素的摩尔比为0.5‑0.65:1，且第n缓冲层的碳源中碳元素与硅源中硅元素的摩尔比＞第n‑1缓冲层的碳源中碳元素与硅源中硅元素的摩尔比。本申请通过利用多周期制备缓冲层和原位刻蚀处理相结合，同时调控缓冲层的碳源中碳元素与硅源中硅元素的摩尔比，降低碳化硅外延层的微坑缺陷密度。

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作者：情报员