全球半导体产业的竞技场中,剧情反转早已成为常态。

公众普遍预期的剧本是:中国突破光刻机核心技术,强势切入高端赛道,直接挑战荷兰ASML的绝对统治地位;而现实却以截然不同的逻辑展开——不是新锐力量撼动旧秩序,而是传统豪强率先失守。

ASML持续凭借尖端设备收割高额利润,而曾与佳能并肩称雄、主导全球光刻技术演进数十年的日本尼康,却交出了一份令整个产业链为之侧目的财务报告。

据其最新披露的2025财年业绩指引,尼康预计净亏损达850亿日元,折合人民币约36.8亿元,这一数值一举打破日本光刻设备制造业自诞生以来的历史最差纪录。

一端是稳居技术制高点、订单排至三年后的行业标杆,另一端则是营收断崖式下滑、产线几近停摆的昔日领军者。如此强烈的反差,促使业界深入叩问:在这场决定未来十年芯片格局的关键突围中,为何倒下的并非技术护城河最深的ASML,而是曾手握多项核心专利、坐拥完整制造体系的尼康?

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尼康进退失据

要真正理解尼康的系统性滑坡,必须首先还原当前光刻机市场的结构性真相。

今日市场已演化为典型的“哑铃型”分布:高端EUV与基础成熟制程两端需求旺盛、空间宽裕,而中高端DUV过渡带则日趋逼仄,几乎丧失商业可行性——尼康恰恰被困于这条日益萎缩的夹缝之中。

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在EUV领域,ASML构筑起近乎不可逾越的技术壁垒。作为7纳米及更先进芯片制造的唯一可行装备,EUV光刻机全球仅ASML具备量产能力,单台售价突破4亿美元大关。台积电、三星、英特尔等头部晶圆厂若想推进先进工艺迭代,别无选择,只能加入ASML漫长的交付排队序列。

2025年ASML全年交付光刻设备160台,其中EUV机型达20余台,依托独家工艺积累与持续高强度研发投入,不仅牢牢锁定高端话语权,更以丰厚现金流反哺下一代技术攻坚,形成强者恒强的正向飞轮效应。

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尼康在EUV赛道上投入超千亿日元,最终仅完成实验室级原型样机,因无法满足量产良率与稳定性要求,被迫全面终止商业化路径。高端市场的彻底缺席,使其丧失了最具溢价能力的利润来源。

无奈之下,尼康转向依赖28纳米及以上成熟制程所用的DUV设备维系基本运营,这部分业务曾是它在全球范围内最后的稳定支点。

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新能源汽车主控芯片、工业物联网模组、智能家电SoC等广泛应用的成熟制程芯片,对光刻精度要求适中,原本为尼康提供了持续订单。其设备长期供应全球数十家主流晶圆代工厂,在该细分领域保有可观份额。

但随着中国光刻装备产业化进程加速落地,这块本就狭窄的生存腹地正被迅速压缩。

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上海微电子自主研发的28纳米浸没式DUV光刻机已完成多家头部晶圆厂客户端验证,并实现稳定量产交付;整机国产化率突破85%,关键子系统全部实现自主可控;综合良率达90.3%,运行成本较同规格进口设备降低约39.6%。

出于供应链韧性提升与国产替代战略需要,国内主要晶圆厂正加快导入国产光刻设备,尼康原有客户群订单持续转移,市场份额呈现加速流失态势。

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2025财年内,尼康全球光刻机出货量仅为9台,且全部为技术迭代停滞多年的i-line与KrF机型;这不足十台设备所产生的收入,远不足以覆盖研发团队维持、精密零部件进口、光学平台校准及全球服务网络运转等刚性支出,巨额亏损由此成为无可回避的财务定局。

尼康的式微,并非某次决策失误所致,而是多重战略误判叠加共振、长期路径依赖未能及时纠偏所引发的结构性坍塌。

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战略步步踏空

上世纪八十年代,尼康不仅是日本精密光学的象征,更是全球半导体制造装备领域的执牛耳者,巅峰期市占率一度逼近42%,国际芯片巨头争相预订其设备,交付周期动辄长达两年。

长久的成功塑造了一种路径惯性,使管理层对新兴技术变革缺乏足够敬畏与响应弹性。

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2002年,台积电资深工程师林本坚提出革命性的浸没式光刻构想:通过在投影镜头与硅片之间填充高折射率纯水介质,显著提升数值孔径与分辨率,从而以更低代价延续摩尔定律。该方案兼具工程可行性与经济优越性。

尼康高层基于传统光学设计思维,断定液体环境将严重威胁高端镜头洁净度与寿命,当场否决合作可能;林本坚随即转向ASML,双方于2004年联合推出首台商用浸没式DUV光刻机,迅速赢得市场青睐,尼康在高端DUV领域的领先优势自此开始瓦解。

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在错失浸没式技术窗口后,尼康并未转向开放协同,反而进一步强化封闭式攻关模式。

日本经产省牵头组建国家级EUV攻坚联盟,整合尼康、佳能、东京电子及多所顶尖理工院校资源,坚持所有核心组件——从极紫外光源、多层膜反射镜到精密运动平台——均由本土企业全链条自研自制。

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现代EUV光刻系统集成超12万个高精度零部件,涵盖同步辐射物理、纳米级光学镀膜、亚纳米级运动控制、超纯净气体化学等多个尖端学科,任何单一国家或企业都难以独立支撑如此庞大的技术矩阵。

ASML则采取全球化资源整合策略:控股德国蔡司保障光学系统顶级性能,全资收购美国Cymer公司掌控EUV光源核心技术,联合荷兰、比利时、以色列等地数十家“隐形冠军”共建敏捷供应链;与此同时,由美国主导的国际EUV联盟明确将日系厂商排除在外,尼康的孤岛式研发终告失败。

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客户结构过度集中,进一步放大了经营风险。

尼康长期将英特尔视为最大单一客户,其光刻设备订单占比常年超过35%;当英特尔因10纳米以下工艺连续受挫、大幅削减资本开支时,尼康订单瞬间缩水近六成,营收根基遭受重创。

相较之下,佳能果断收缩EUV投入,聚焦i-line、KrF等成熟波段设备升级,并前瞻性布局先进封装光刻、Micro-LED巨量转移等新兴应用领域,同步在越南新建智能化生产基地扩大产能弹性,在波动市场中实现了稳健过渡。

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溃败的启示

尼康既未能及时拥抱关键技术跃迁,也未构建起适应产业变局的柔性市场机制,陷入“营收萎缩→研发投入受限→技术落后→客户流失”的深度负循环,光刻机板块已由增长引擎蜕变为拖累集团整体盈利的最大负担。

这场源自东瀛的巨额亏损,为中国正在全力推进的光刻装备自主化进程提供了极具现实意义的镜鉴。

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技术路线的战略判断,其重要性远高于单纯的资金与人力堆砌;在高度专业化、全球分工深化的当代半导体生态中,“闭门造车”式的全链路自研已难以匹配效率与成本双重要求。

中国光刻机发展始终坚持“市场牵引、分步突破、生态共建”路径:依托国内全球最大成熟制程产能规模,优先攻克28纳米节点所需核心部件与整机集成;在完成客户端量产验证基础上,同步推动193nm光源升级、双工件台动态补偿、高精度套刻控制等关键技术迭代,并联动上下游企业共建国产光刻胶、掩模版、量测设备协同验证平台。

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展望未来,尼康极有可能持续压缩光刻机业务投入,逐步剥离半导体前道光刻相关资产,将战略重心全面转向高端影像系统、医疗内窥光学、工业计量仪器及精密加工设备等优势领域,正式退出全球光刻装备主战场。

这场席卷行业的结构性洗牌再次印证:半导体的竞争本质,从来不是单项技术指标的短兵相接,而是涵盖基础材料、核心算法、精密制造、系统集成与产业政策在内的全要素耐力竞赛。

尼康的谢幕不会为中国光刻机征程按下暂停键;相反,在成熟制程实现全面自主可控的基础上,持续推进产业链纵深整合、加速向20纳米及以下节点发起系统性攻关,才是筑牢国家芯片安全底座的根本之道。

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