3月18日，光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（ams OSRAM）宣布，其成熟的EVIYOS Micro LED技术已成功拓展至下一代AI光互连领域。艾迈斯欧司朗展示了具备超低功耗且支持高速传输的Micro LED阵列原型，并表示公司正稳步推进至产品开发阶段。
艾迈斯欧司朗首席执行官Aldo Kamper表示，通过EVIYOS技术，公司已在汽车前照灯领域实现高像素化Micro LED阵列的规模应用。目前，艾迈斯欧司朗正利用在EVIYOS技术上的专业积累，解决AI服务器机架内外数据链路的能效挑战。
Micro LED阵列与光电二极管接收器集成至AI数据中心高带宽数据传输解决方案的概念（来源：艾迈斯欧司朗）
面对AI数据中心的能效需求，新型Micro LED阵列原型采用了专利外延堆栈技术，测试数据显示，该器件的截止频率超过1GHz，而每比特能耗低于2pJ。
据悉，艾迈斯欧司朗的EVIYOS技术是全球首款规模量产的汽车级Micro LED发射器阵列，EVIYOS集成了25600个可独立寻址的像素，每个像素的宽度仅约为人类头发的一半。
在光互连的应用中，Micro LED阵列的制造工艺与汽车矩阵发射器类似，主要区别在于，EVIYOS使用整体式阵列，而数据中心应用则使用切分的单体Micro LED。发射器从晶圆上切割后安装在基板上，使每个器件都能耦合到多芯光缆中独立的垂直通道，之后，该基板可集成到目标CMOS晶圆上实现系统级整合。
凭借极小的占用空间，基于Micro LED的转接器可以实现极高的带宽密度。单个发射器在全长10米的链路上，支持每通道大于或等于3.0 Gbit/s的数据传输速率，且能耗低于2pJ/bit，同时满足行业标准中低于10的负15次方的比特误码率要求。
光互连Micro LED制造技术（来源：艾迈斯欧司朗）
与传统超高频激光传输相比，这种以数百个并行通道替代单路超高速线路的“低速宽带”架构为AI基础设施带来了多重优势。
首先是可靠性，系统可包含冗余通道，允许在不影响整体功能的情况下更换故障发射器。其次是效率，这种架构显著降低了功耗和发热，为数据中心运营商提供了宝贵的散热空间。最后是简洁性，Micro LED光互连本质上是并行的，消除了传统方案中复杂且昂贵的串行/解串步骤。
随着EVIYOS基础技术成功适配数据通信市场需求，艾迈斯欧司朗正迅速过渡到产品开发阶段，继续向公司“数字化光子学”战略转型的方向发展。
LEDinside整理
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