国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件”的专利，公开号CN121712037A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件，其包括设置于该第一介电层之上的一底部电极结构。该底部电极结构包括由下往上配置的一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第四金属层、和一第五金属层。该第一金属层、该第三金属层和该第五金属层包括一第一金属材料，且该第二金属层和该第四金属层包括一第二金属材料，其与该第一金属材料不同。该半导体元件也包括设置于该底部电极结构的相对侧壁上的一高介电常数介电结构。该底部电极结构的相对侧壁为阶梯状。该半导体元件还包括横向围绕该底部电极结构且通过该高介电常数介电结构与该底部电极结构间隔开的一顶部电极结构。

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作者：情报员