国家知识产权局信息显示，扬杰科技（无锡）有限公司申请一项名为“一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法”的专利，公开号CN121728792A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法，涉及半导体技术领域。在外延片上刻蚀出沟槽后，再填光刻胶，曝光到沟槽顶部；然后湿法刻蚀侧壁氧化层到指定深度；去除光刻胶；再生长100Å~400Å的热氧化层；淀积100Å~400Å的Nitride (Si3N4)；淀积薄氧化层；淀积多晶硅；刻蚀多晶硅到指定深度；多晶硅热氧化到指定的厚度；湿法刻蚀沟槽侧壁的薄氧化层；热磷酸刻蚀沟槽侧壁的薄Nitride；湿法刻蚀沟槽侧壁的薄氧化层；生长栅氧化层，再淀积栅多晶硅形成栅极；再按照传统工艺完成体区注入及推阱、源极注入及退火、层间介质淀积等后续工艺，最后形成屏蔽栅型沟槽MOSFET 的完整结构。通过上述制造方法，形成可精确控制IPO厚度的屏蔽栅型沟槽MOSFET，且工艺参数变量少，工艺简单，制造成本低。

天眼查资料显示，扬杰科技（无锡）有限公司，成立于2020年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，扬杰科技（无锡）有限公司专利信息20条，此外企业还拥有行政许可4个。

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作者：情报员