具有快速响应和高效率的钙钛矿量子点发光二极管在高刷新率显示应用中展现出巨大潜力。然而，其响应时间和外量子效率仍受限于不完善的器件结构，包括传输层中较低的载流子迁移率以及严重的界面损耗。
在此，郑州大学王沙龙和宋继中等人采用一种分子（ETL-PO）作为电子传输层，该分子具有高电子迁移率，并能减少量子点与电子传输层界面的缺陷。ETL-PO中的P=O基团与未配位的Pb²⁺配位，抑制了非辐射界面复合，而其共轭骨架则支持高效的电子传输并降低了器件的电阻和电容。结果表明，基于ETL-PO的QLED在0.01 mm²的有效面积上实现了564 ns的总响应时间，比对照器件（29 µs）快了50倍以上。此外，器件还实现了22.8%的峰值外量子效率和105518 cd m⁻²的最大亮度。
该工作成功展示了一种同时实现高外量子效率与纳秒级响应时间的钙钛矿QLED器件，为光通信与数据传输领域提供了新视角
研究亮点：
新型电子传输材料ETL-PO：设计并合成了同时具有高电子迁移率（1.2×10⁻⁴ cm²/V·s，是TPBi的3.5倍）和强界面钝化能力（P=O基团与Pb²⁺配位）的新型ETL材料，从材料源头解决了载流子传输慢和界面复合严重的问题。
纳秒级响应速度：得益于ETL-PO优异的导电性和界面优化，器件在0.01 mm²微区面积下实现了564 ns的总响应时间（上升/下降时间分别为286 ns/278 ns），比传统TPBi器件快50倍以上，-3 dB带宽高达260 kHz，为高速光通信应用奠定基础。
效率与亮度协同突破：基于ETL-PO的QLED同时实现了26.8%的峰值外量子效率（0.09 cm²器件）和105518 cd m⁻²的超高亮度，且在100 cd m⁻²初始亮度下T₅₀寿命达2624小时，展现了优异的综合性能。
KS.-E.Kim, S.-G.Choi, S.-R.Lee, et al. “Localized Heterogeneous Nucleation for Vapor-Assisted Sequential Deposition of Metal Halide Perovskites.” Advanced Energy Materials (2026): e06804.
https://doi.org/10.1002/aenm.202506804
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