国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有增厚层的半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121751676A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本申请公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包括源极区和漏极区；字元线结构，包含基底内且包含U形轮廓的字元线介电层、字元线介电层上且在基底中的字元线导电层，和字元线导电层上的字元线盖层；顶部增厚层，包含U形轮廓，在字元线导电层与字元线盖层之间且在字元线介电层与字元线盖层之间；底部盖层，在基底上且相邻字元线介电层；顶部盖层，覆盖底部盖层和字元线结构；位元线，穿过顶部盖层和底部盖层并延伸进入源极区；和单元接触，穿过顶部盖层和底部盖层并延伸进入漏极区。顶部增厚层的顶面与字元线介电层的顶面共平面，且高于基底的顶面。

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作者：情报员