国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“同时选择性沉积金属膜和介电膜的方法”的专利，公开号CN121753525A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，提供了用于二元选择性沉积的方法和装置，其用于选择性地在衬底的第一表面上沉积第一材料和在同一衬底的不同的第二表面上沉积第二材料。还提供了在硅氧化物沉积期间减少悬垂的方法。选择性沉积的材料包括含金属材料或介电材料。

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作者：情报员