国家知识产权局信息显示，上海超硅半导体股份有限公司；重庆超硅半导体有限公司申请一项名为“液口距测量装置及其制备方法、单晶炉中液口距测量方法”的专利，公开号CN121739909A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提供了一种液口距测量装置及其制备方法、单晶炉中液口距测量方法。所述液口距测量装置包括：石英件，其内部具有沿第一方向延伸的十字形容置腔，所述第一方向平行于所述石英件的轴向；石墨件，具有十字形柱体形状，所述石墨件密封容置于所述石英件的所述十字形容置腔中、且所述石墨件相对所述石英件的第一端部可视；所述石墨件的材质为高纯度石墨，所述石英件的材质为高纯度石英。本发明通过采用高纯度材质加工形成配套的石墨件与石英件中，并烧制密封制备形成液口距测量装置，结合CCD成像系统，通过捕捉石墨件在硅熔体中的倒影成像，根据倒影成像的成像像素的变化，即可精确测量液口距。

天眼查资料显示，上海超硅半导体股份有限公司，成立于2008年，位于上海市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本117640.3602万人民币。通过天眼查大数据分析，上海超硅半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息275条，此外企业还拥有行政许可197个。

重庆超硅半导体有限公司，成立于2014年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆超硅半导体有限公司参与招投标项目15次，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员