国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121751668A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有至少两个栅极；在栅极和衬底上形成图案化的第一掩膜层，图案化的第一掩膜层定义出第一注入窗口，第一注入窗口露出两个栅极之间的衬底表面、两个栅极彼此相对的侧壁以及部分顶面；对衬底执行第一离子注入，以在衬底中形成第一掺杂区；形成图案化的第二掩膜层，覆盖第一掩膜层和露出的栅极以及部分衬底表面，图案化的第二掩膜层定义出第二注入窗口，第二注入窗口露出两个栅极之间的部分衬底表面，图案化的第一掩膜层和图案化的第二掩膜层采用同一掩模版形成；对衬底执行第二离子注入，以在衬底中形成第二掺杂区，第一掺杂区在衬底中的深度小于第二掺杂区在衬底中的深度。

天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可40个。

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作者：情报员