国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“具有图案化纳米线缩放的全环绕栅极集成电路结构的制作”的专利，公开号CN121751743A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开的发明名称是“具有图案化纳米线厚度缩放的集成电路结构的制作”。描述了具有图案化纳米线厚度缩放的集成电路结构。例如，一种结构包括装置类型的第一装置，所述第一装置包括水平纳米线的第一垂直布置，以及在第一栅极电介质层之上具有第一导电层的第一栅极堆叠。该装置类型的第二装置包括与所述第一垂直布置横向隔开的水平纳米线的第二垂直布置，以及具有在第二栅极电介质层之上的第二导电层的第二栅极堆叠。所述第二垂直布置的纳米线中的每个纳米线具有与所述第一垂直布置的纳米线中的每个纳米线的垂直厚度相比更小的垂直厚度。所述第二垂直布置的纳米线具有与所述第一垂直布置的纳米线的垂直间隔相比更大的垂直间隔。

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作者：情报员