国家知识产权局信息显示，上海鼎泰匠芯科技有限公司申请一项名为“一种调控沟道效应的离子注入方法及功率器件制作方法”的专利，公开号CN121751983A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种调控沟道效应的离子注入方法，包括：提供一半导体衬底；对半导体衬底进行一道可控注入，通过控制可控注入的剂量，在半导体衬底内形成可控的晶格损伤，以主动调控后续注入的沟道效应程度；对半导体衬底进行多道元素注入；对半导体衬底进行一道调节注入。通过控制可控注入的剂量，可以控制晶格损伤，为所有芯片的后续注入工艺提供了一个统一且受控的晶格初始状态，可以精确的预测并设定所需的击穿电压；且消除不同生产设备之间固有参数微差而导致的沟道效应随机波动。

天眼查资料显示，上海鼎泰匠芯科技有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鼎泰匠芯科技有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息57条，此外企业还拥有行政许可154个。

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作者：情报员