国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构”的专利，公开号CN121751752A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开描述了带有在其中具有接触部的垂直沟槽的源极或漏极结构。描述了具有这样的源极或漏极结构的集成电路结构：该源极或漏极结构带有在其中具有接触部的垂直沟槽。在示例中，集成电路结构包括在子鳍片上方的纳米线堆叠。外延源极或漏极结构位于纳米线堆叠的端部，外延源极或漏极结构在其中具有沟槽。导电接触部位于沟槽中并且在外延源极或漏极结构上方延伸；或者外延层沿着沟槽的侧面和底部，并且导电接触部位于外延层内并且在外延层上方延伸，其中外延层包括镓。

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作者：情报员