国家知识产权局信息显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“一种芯片封装结构及其制造方法”的专利,公开号CN121772795A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,一种芯片封装结构,其特征在于,包括:衬底,衬底的上表面设置有槽体,并且衬底的上表面和下表面之间设置有多个第一导通孔,其中,第一导通孔中填充有导电材料,形成第一导电柱;多个第一芯片,多个第一芯片的有源面朝向槽体的开口方向,并沿基本垂直的方向堆叠在槽体中,其中,相邻第一芯片之间通过键合实现电连接,多个第一芯片的高度低于开口,多个第一芯片和槽体之间填充有模塑材料,形成塑封结构;至少一个第二芯片,第二芯片的有源面朝向衬底的上表面,第二芯片和衬底的上表面之间设置有至少一个第一重布线层,多个第一芯片、第二芯片和第一导电柱与第一重布线层直接电连接。提高了系统的集成度,并有效地缩小了封装体积。
天眼查资料显示,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,成立于2012年,位于无锡市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析,华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业,参与招投标项目102次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息1120条,此外企业还拥有行政许可55个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
本文源自:市场资讯
作者:情报员
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