国家知识产权局信息显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN121772752A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体封装技术领域，公开了半导体封装结构及其制备方法。结构包括基板、嵌入式电容器和芯片封装模块，嵌入式电容器沿基板厚度方向贯穿设置在基板内，包括第一电容堆叠体、分别位于第一电容堆叠体沿第二方向相对两侧面的第一焊盘和第二焊盘，第二方向与基板的厚度方向平行，第一电容堆叠体包括沿第一方向堆叠的多个电容器单元，第一方向与基板厚度方向垂直，第一电容堆叠体在第二方向上的尺寸被配置为大于或等于基板中芯板的厚度尺寸；芯片封装模块设置在基板的第一面上与嵌入式电容器电性连接。本发明中的嵌入式电容器，多个电容器单元的堆叠方向与基板厚度方向垂直，侧面引出电信号，实现任意厚度封装结构对电容器电源去耦的要求。

天眼查资料显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，成立于2012年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本72064.22万人民币。通过天眼查大数据分析，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目102次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息1125条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员