国家知识产权局信息显示，东部高科股份有限公司申请一项名为“绝缘体上硅半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121772301A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及一种绝缘体上硅半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：基板；埋氧层，设置在上述基板上；第一器件区域及第二器件区域，设置在上述埋氧层上；沟槽，设置在上述第一器件区域与上述第二器件区域之间；器件隔膜，填充上述沟槽，对上述第一器件区域和上述第二器件区域进行绝缘，上述沟槽的侧壁由上述第一器件区域的第一阱确定，上述沟槽的底面由上述埋氧层确定，上述第一阱与上述埋氧层相接触的第一阱的一部分包括朝向上述沟槽的上述侧壁凹进的凹进部分。

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作者：情报员