国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121772258A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；沟道层；第一势垒层；介质层，位于第一势垒层远离衬底的一侧；接触沟槽，包括沿衬底厚度方向相互连通的第一子槽和第二子槽，第一子槽贯穿介质层以及第一势垒层，第二子槽凹设于沟道层，第一子槽具有第一侧壁，第一侧壁与衬底所在平面之间所成夹角的最小值为第一夹角，第二子槽具有第二侧壁，第二侧壁与衬底所在平面之间所成夹角的最大值为第二夹角，第二夹角小于第一夹角；欧姆接触电极，位于接触沟槽，欧姆接触电极为源极电极或漏极电极。根据本申请实施例的半导体器件，第二子槽较缓的第二侧壁能够更容易释放形成欧姆接触电极时的应力。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本91510.0653万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司共对外投资了10家企业，专利信息101条，此外企业还拥有行政许可14个。

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作者：情报员