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2026年3月31日，全球市场研究机构TrendForce发布了内存市场最新分析预测报告。

分析显示，2026年第二季度，DRAM供应商正持续将产能调配至高带宽内存（HBM）与服务器存储领域，同时推行补涨定价策略，以此缩小各产品线间的价差。在此背景下，即便终端市场出货量仍面临一定下行压力，传统DRAM合约价预计仍将环比上涨58%~63%。

与此同时，人工智能与数据中心的强劲需求持续拉动NAND闪存市场行情，涨价势头已全面覆盖全品类产品，预计二季度NAND闪存合约价或将达到70%~75%的环比涨幅。

北美云服务运营商正加速推进人工智能推理业务部署，这一举措直接拉动了人工智能服务器及通用服务器的采购需求，使得大容量双列直插式内存模组（RDIMM）成为市场核心采购标的。

从供应端来看，厂商凭借更高的盈利空间，持续优先保障服务器DRAM的产能供应，并与核心客户签订长期供货协议，为后续产能扩容提前铺路。不过，短期内市场供货紧张的格局仍难以得到缓解。

在手机市场方面，各大主流品牌持续面临内存成本攀升的压力，或将从2026年第二季度起逐步调整生产规划，但上半年移动端DRAM需求暂时不会出现大幅萎缩。

目前，DRAM厂商正与核心客户密集敲定二季度定价基准、明确涨价幅度，同时通过补涨定价策略抹平不同应用场景的价差。因此，预计移动端DRAM合约价将延续上一季度的上涨态势。

在显存领域，内存涨价已明显拖累笔记本电脑与游戏设备的市场需求，加之图形显存（GDDR）的产能分配持续受限，市场供货缺口难以填补，2026年第二季度显存价格或将进一步攀升。

在消费级DRAM领域，采购方主要主打低价走量的薄利产品。自2025年初开启的持续涨价潮，已导致部分产品的内存成本高于终端售价，采购需求因此出现小幅降温。但头部厂商逐步退出消费级DRAM赛道，仍是打破市场供需平衡的核心因素，当前市场供货短缺问题尚未得到有效缓解。

在嵌入式闪存（eMMC/UFS）领域，尽管智能手机市场整体行情疲软，但旗舰机型搭载人工智能功能所催生的高速传输需求依旧刚性不减，车载与工业级市场需求也迎来小幅回暖态势。

在供应层面，嵌入式闪存与企业级固态硬盘共享部分制程产能资源，但由于两者盈利水平差距悬殊，使其成为全品类中供货缺口最大的细分产品，预计2026年第二季度其价格将大幅飙升。

在普通消费级存储卡及U盘领域，市场需求在涨价压力下持续萎缩，相关厂商深陷成本与销量的双重困境，进而大幅削减NAND闪存晶圆采购量。

总的来看，2026年第二季度，即便NAND闪存厂商通过工艺升级、加大四阶存储单元（QLC）渗透率等方式提升芯片出货比特总量，行业产能增长幅度依旧有限，市场整体严重短缺的趋势仍难以扭转。