观点网讯：4月3日，综合多家报道，中国NAND闪存制造商长江存储计划于今年下半年正式启动其位于武汉的三期晶圆厂，量产高堆叠层数NAND闪存。

预计年内其NAND产量将超越SK海力士和美光，跃居全球第三，仅次于三星和铠侠。

根据公开资料，长江存储武汉一期和二期产线已接近满产，其中一期月产能达10万片，二期于2024年投产后仅两年即达6万片/月的设计上限。2025年公司年产量达177万片，预计2026年将接近200万片。三期项目于2025年9月成立，注册资本207.2亿元，目标月产能30万片，目前已进入设备安装调试阶段。

据悉，长江存储正加速提升200层以上高堆叠NAND产品占比，300层NAND良率预计年内趋于稳定。

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