国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种调节背氧层厚度控制翘曲度的方法”的专利，公开号CN121793666A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种调节背氧层厚度控制翘曲度的方法，包括以下步骤：制备SOI晶圆并获取初始背氧层厚度T0和初始翘曲度W0；根据目标翘曲度Wt,基于背氧层厚度与翘曲度之间的线性关系，计算得到目标背氧层厚度Tt；计算背氧层偏差值ΔT=T0‑Tt，对所述SOI晶圆的背氧层厚度进行调节。本发明的有益效果是基于明确的线性关系，实现了背氧层厚度的定量计算，通过调节背氧层厚度来精准控制翘曲度，有助于更好地与后续的半导体制造工艺兼容，减少了因翘曲导致的工艺偏差和缺陷，能够提高SOI产品的成品率，降低生产成本。

天眼查资料显示，中环领先半导体科技股份有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本539356.0021万人民币。通过天眼查大数据分析，中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目345次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息1191条，此外企业还拥有行政许可356个。

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作者：情报员