国家知识产权局信息显示，无锡中微高科电子有限公司申请一项名为“一种混合结构高密度封装基板及其加工方法”的专利，公开号CN121793773A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种混合结构高密度封装基板加工方法，包括以下步骤：步骤S1.提供芯板，在芯板内加工通孔，并在通孔内填充铜，以实现两侧布线层连通；步骤S2.在芯板顶部依次进行顶部高密度布线层加工、顶部焊盘加工，并在芯板顶部焊盘侧贴临时键合保护膜；步骤S3.在芯板底部依次进行底部高密度布线层加工、过渡布线层加工、基板布线层加工以及底部焊盘加工；步骤S4.去除临时键合保护膜、切割，制作成单颗混合结构高密度封装基板。本发明采用玻璃或硅作为芯板，可大大提高通孔密度，通孔最小直径达到5µm，芯板两侧采用了高密度布线层，其最小线宽线距达0.1µm，大幅提高封装基板的布线密度，且降低基板的厚度和尺寸。

天眼查资料显示，无锡中微高科电子有限公司，成立于2006年，位于无锡市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中微高科电子有限公司参与招投标项目567次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可72个。

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作者：情报员