国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种离子注入后光刻胶的去除方法”的专利，公开号CN121785062A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种离子注入后光刻胶的去除方法，包括步骤：提供一经过离子注入的半导体结构，半导体结构包括半导体衬底及位于半导体衬底上的光刻胶层，光刻胶层包括光刻胶主体层及覆盖于光刻胶主体层上的石墨碳硬壳层，提供一臭氧处理装置，臭氧处理装置包括液体槽及设置于液体槽底面的臭氧起泡器，液体槽内放置有处理溶液，臭氧起泡器通过气管与臭氧气罐连通以在处理溶液中喷射出含有臭氧的气泡，将半导体结构放置于液体槽内，去除石墨碳硬壳层，取出位于液体槽内的半导体结构，采用SPM溶液去除光刻胶主体层。本发明的离子注入后光刻胶的去除方法能够高效且低损伤地去除经过离子注入后发生交联反应的光刻胶，从而提升工艺效率与器件的可靠性。

天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可12个。

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作者：情报员