来源：电子创新网
近期内存市场风声鹤唳，现货价格小幅回调就引发了内存价格崩盘”的论调，甚至带动相关个股集体下跌，但行业龙头三星却完全不为所动，反而按计划继续上调DRAM内存产品价格，用实际行动打破了市场的恐慌预期。
据韩国媒体ETNews最新报道，三星已在2026年第二季度，对旗下全系列DRAM产品执行了平均30%的环比涨价。值得注意的是，就在今年第一季度，三星DRAM产品的同比涨幅已经达到了100%，连续两轮大幅涨价，力度远超市场此前预期。
此次涨价并非针对单一品类，而是覆盖了三星全产品线DRAM产品，既包括当前AI算力核心的高带宽内存（HBM），也涵盖了服务器、PC、智能手机所用的标准消费级DRAM。
简单换算下来，一款2025年初售价1万韩元的DRAM产品，到2026年第一季度已涨至2万韩元，本轮涨价后售价将达到2.6万韩元。
业内普遍预计，随着三星敲定涨价方案，SK海力士、美光两大全球内存巨头也将很快跟进上调产品价格，彻底戳破此前市场流传的消费级DRAM价格崩盘的说法。
针对近期内存价格承压的情况，业内人士明确表示，这并非市场需求出现系统性下滑，而是前期囤货的商家恐慌性清库存导致的短期波动。
据DRAMeXchange数据，截至3月底，PC端DDR4 8Gb颗粒的固定合约价环比保持持平，并未出现市场传言的大幅下跌。
此外，SemiAnalysis数据显示，移动端LPDDR5内存自2025年第一季度至今已累计上涨3倍，目前合约价约10美元/GB，预计2027年还将迎来两位数涨幅。
内存价格持续上涨已经直接冲击终端市场。目前入门级智能手机的物料成本中，DRAM占比高达35%，叠加NAND闪存的19%，两项存储成本合计已占到整机成本的54%，后续终端产品的涨价压力还将持续加大。
目前全球内存市场呈现明显的寡头垄断格局，三星、SK海力士和美光三家合计占据DRAM市场95%以上的份额。
三星在DRAM市场的份额经历了显著波动：
2025年上半年，三星DRAM市场份额降至32.7%，创下2014年以来的十年新低。这主要是由于其在高带宽存储器（HBM）领域的产品认证延迟，而SK海力士凭借HBM3E的强劲表现，在2025年Q1以36%的市占率首次超越三星。不过，三星在2025年Q4成功反弹，以36.6%的市场份额重夺全球DRAM市场第一的位置。
在NAND闪存市场，三星保持相对稳定的主导地位：2024年Q4：市场份额为33.9%，排名第一；2025年Q1：市场份额为31.9%，仍居首位；NAND市场前五名厂商（三星、SK集团、美光、铠侠、西部数据）合计占据约92.7%的市场份额。
三星在HBM市场的份额一度被美光超越，跌至第三位。不过，随着其12层HBM3E通过英伟达认证，以及HBM4的推出，预计2026年三星HBM市场份额有望突破30%。
所以三星在存储领域仍然保持全面领先势态，其在价格领域依然拥有较强的话语权。（综合快科技等报道编辑）
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