三星显示申请沉积掩模专利,中间无机膜由含锗材料形成提升性能
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国家知识产权局信息显示,三星显示有限公司申请一项名为“沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置”的专利,公开号CN121826591A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本公开涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置。沉积掩模包括:掩模框架,具有单元开口;中间无机膜,设置在所述掩模框架上;以及隔膜,设置在所述中间无机膜上并且具有与所述单元开口连通的多个像素开口。所述中间无机膜由包括锗的材料形成。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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