国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构”的专利，公开号CN121843432A，申请日期为2025年5月。

专利摘要显示，本发明公开一种碳化硅半导体结构的制备方法和碳化硅半导体结构。碳化硅半导体结构的制备方法包括：在碳化硅层表面形成的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的厚度均为纳米级，第二欧姆接触层的熔点小于第一欧姆接触层的熔点；对第一欧姆接触层和第二欧姆接触层进行热退火处理，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层整体转化形成为欧姆接触结构的过程中，碳化硅层和欧姆接触结构交界区域内的碳原子一部分朝向欧姆接触结构的内部转移、另一部分经过欧姆接触结构的内部朝向欧姆接触结构远离碳化硅层的表面转移；碳化硅层与欧姆接触结构交界区域内和欧姆接触结构内部的碳原子含量，在热退火处理结束后，含量均降低。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3701次，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可92个。

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作者：情报员