国家知识产权局信息显示，苏州纳维科技有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法、器件结构及发光器件”的专利，公开号CN121843292A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制备方法、器件结构及发光器件，该制备方法包括：制备发光外延结构，发光外延结构的顶面或底面作为出光面；于发光外延结构的侧壁多周期由内向外依次形成第一结构层、第二结构层和第三结构层。第一结构层为半绝缘层，第二结构层为电流扩展层，第三结构层为导电的多孔层；第一结构层和第二结构层构成具有第一折射率的第一反射层，第三结构层为具有第二折射率的第二反射层；交替的第一反射层和第二反射层形成反射结构反射朝向发光外延结构侧壁照射的光线。基于第一反射层和第二反射层构建得到的反射结构，能够提升在侧壁生长的晶体质量以及掺杂均匀性，还能减少发光器件在非出光面的光损耗，提高发光器件的发光效率。

天眼查资料显示，苏州纳维科技有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6045.1971万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州纳维科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息144条，此外企业还拥有行政许可29个。

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作者：情报员