国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司申请一项名为“半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构”的专利，公开号CN121843203A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体的超结结构及其制备方法和半导体结构。半导体的超结结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多层外延层，且在形成的每层外延层上都形成有掺杂区，多层外延层上所处同一位置的掺杂区用于对应形成一个掺杂柱；其中，针对每个掺杂柱，在形成掺杂柱所对应的各个掺杂区的过程中，每相邻两个掺杂区在形成时所采用的掩膜版上的图案的面积不同；对已形成有掺杂区的多层外延层进行退火处理，得到掺杂柱，每个掺杂柱与周围的外延层形成超结结构。半导体的超结结构的制备方法能够兼顾工艺制作成本低且设计灵活的需求。

天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3717次，专利信息627条，此外企业还拥有行政许可92个。

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作者：情报员