国家知识产权局信息显示，北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备”的专利，公开号CN121843225A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种堆叠晶体管及其制备方法、半导体器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成第一方向上堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管的第一前道层；刻蚀第一源极结构或第一漏极结构的一部分；在第一前道层上沉积介质材料，形成第一介质层；在第一介质层中形成第一条状通孔；第一条状通孔沿第二方向延伸；第一条状通孔连接未被刻蚀的第一漏极结构或第一源极结构；在第一介质层上进行后道互连工艺，形成第一后道互连层；第一后道互连层中的第一电源轨与第一条状通孔连接；第一条状通孔在第一方向上的正投影位于第一电源轨在第一方向上的正投影的内部；倒片并减薄衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管。

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作者：情报员