国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有覆盖基底狭槽的堤坝结构的半导体元件”的专利，公开号CN121843570A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一电子元件、一封装件及一堤坝结构。该基底具有一下表面和相对于该第下表面的一上表面。该电子元件设置在该基底的该上表面上。该封装件设置在该基底的该上表面上，且具有贯穿该基底的一部分。该堤坝结构垂直地与该封装件的该部分重叠。

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作者：情报员