国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请一项名为“硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备”的专利，公开号CN121865865A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供一种硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备，硅片刻蚀方法包括以下步骤：将硅片浸入第一刻蚀槽内的刻蚀溶液中，进行初步刻蚀；将经过初步刻蚀的硅片浸入到第二刻蚀槽内的刻蚀溶液中，进行剩余刻蚀量的刻蚀，直至达到对硅片的目标刻蚀量；其中，第一刻蚀槽内的刻蚀溶液和第二刻蚀槽内的刻蚀溶液相同，且第一刻蚀槽内的刻蚀溶液和第二刻蚀槽内的刻蚀溶液相同，且第一刻蚀槽内的刻蚀溶液的初始容量小于第二刻蚀槽内的刻蚀溶液的初始容量。由于第一刻蚀槽中的刻蚀溶液带走了一部分的金属离子等需要被刻蚀的杂质，这样进入到第二刻蚀槽中的刻蚀溶液的金属离子等杂质的浓度降低，使其浓度长期维持在极低的、不影响刻蚀质量的水平。

天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目13次，专利信息1545条，此外企业还拥有行政许可24个。

西安欣芯材料科技有限公司，成立于2022年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本504400万人民币。通过天眼查大数据分析，西安欣芯材料科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目170次，专利信息169条，此外企业还拥有行政许可25个。

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作者：情报员