国家知识产权局信息显示，沃尔塔半导体公司申请一项名为“半导体功率装置”的专利，公开号CN121866861A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，揭露了具有较低电阻和较高击穿电压的半导体功率装置。揭露了操作半导体功率装置的方法。此半导体功率装置包括：漏极区域；第一区域，其接触该漏极区域且具有与该漏极区域的导电类型相同的导电类型，与该漏极区域的掺杂相比，该第一区域被掺杂得更轻；源极区域；第二区域，其与该第一区域和该源极区域接触；栅极区域；栅极绝缘体层，其至少部分位于该栅极区域和该第二区域之间；体电极，其被组态为提供偏压到该第二区域；以及源极电极，其被组态为提供偏压到该源极区域，其中，能独立控制该第二区域和该源极区域。

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作者：情报员