国家知识产权局信息显示，广立微（北京）技术有限公司申请一项名为“MOS器件衬底浓度监测结构、监测芯片和监测方法”的专利，公开号CN121865899A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供一种MOS器件衬底浓度监测结构、监测芯片和监测方法，该监测结构包括：至少一组测试单元，测试单元包括相邻设置的第一阱区和第二阱区，第一阱区与第二阱区的掺杂类型不同，在第一阱区中间隔布置有第一MOS结构和第二MOS结构，其中，第一MOS结构中，第一有源区和第一栅极分别连接第一金属层；第二MOS结构包括第二有源区、第二栅极和第二金属层，第二有源区连接第二金属层，第二栅极与第二金属层中的顶层金属无连接；第一有源区和第二阱区的距离，与第二有源区和第二阱区的距离相同，第一有源区与第二有源区、第一栅极与第二栅极以及第一金属层和第二金属层的结构分别相同。通过本申请，提高了衬底浓度监控的准确率。

天眼查资料显示，广立微（北京）技术有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，广立微（北京）技术有限公司专利信息7条。

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作者：情报员