国家知识产权局信息显示，百斯特电子（广东）有限公司申请一项名为“一种低DCR一体成型电感及其制备方法”的专利，公开号CN121862571A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明涉及电子设备技术领域，特别涉及一种低DCR一体成型电感及其制备方法，包括第一磁体、第二磁体、绕组、外电极；所述第一磁体为叠片结构；所述第一磁体由Fe基纳米晶组成，其成分为85.3wt%~91.5wt%Fe，4.0wt%~6.6wt%Si，4.0wt%~6.6wt%B，0.5wt%~1.5wt%Cu；第二磁体由Fe基纳米晶粉末和金属粉末复合组成，Fe基纳米晶成分为85.3wt%~91.5wt%Fe，4.0wt%~6.6wt%Si，4.0wt%~6.6wt%B，0.5wt%~1.5wt%Cu。与现有技术相比，本发明的低DCR一体成型电感及其制备方法通过片状纳米晶的纳米包覆叠片和绕组堆叠平行的方式增大有效磁导率，达到减少绕线圈数的效果，绕线的圈数大幅度减小，达到降低电感DCR的效果，从而满足应用对功率器件对器件低高度的要求。

天眼查资料显示，百斯特电子（广东）有限公司，成立于2023年，位于中山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，百斯特电子（广东）有限公司参与招投标项目4次，专利信息6条，此外企业还拥有行政许可23个。

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作者：情报员