国家知识产权局信息显示，宁波大学;金雪尚呈（杭州）科技有限公司申请一项名为“一种具有梯度氧空位分布的HfO2基铁电薄膜及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121852882A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有梯度氧空位分布的HfO2基铁电薄膜及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。该铁电薄膜包括衬底和位于衬底上的HfO2基铁电薄膜，HfO2基铁电薄膜中氧空位的浓度沿厚度方向呈梯度分布。本发明通过调控HfO2基铁电薄膜中氧空位的浓度梯度，能够有效提高铁电薄膜的剩余极化强度，改善其铁电性能。

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作者：情报员