国家知识产权局信息显示，安晟光电（江苏）有限公司申请一项名为“一种基于PVT法的超厚碳化硅晶体生长的加热器及生长方法”的专利，公开号CN121853160A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅单晶生长设备领域，尤其涉及一种基于PVT法的超厚碳化硅晶体生长的加热器，包括：加热炉体、设置在上方的石墨坩埚、设置在下方的伸缩台和固定在石墨坩埚外侧的加热管，所述伸缩台上环状安装有三个加热底座，三个加热底座上方设置有加热罐，所述加热罐内部有料腔，三个所述加热罐的料腔内部分别放置有碳化硅粉；所述加热底座上设置有阶梯加热组件，所述阶梯加热组件包括多个加热环，多个所述加热环同心设置，且连接在加热底座下方，用于形成不同范围的径向加热空间；所述阶梯加热组件下方设置有热屏蔽组件。本发明有效抑制了晶体开裂、位错缺陷的增殖，为制备无裂纹、低缺陷密度的超厚SiC衬底提供了可能。

天眼查资料显示，安晟光电（江苏）有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，安晟光电（江苏）有限公司专利信息3条。

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作者：情报员